参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 145287242441 |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 7.49 |
YTEOL | 8.11 |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最大击穿电压 | 15.3 V |
最小击穿电压 | 13.3 V |
击穿电压标称值 | 14.3 V |
外壳连接 | ANODE |
最大钳位电压 | 19.9 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-218AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-C1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 6600 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
参考标准 | IATF 16949 |
最大重复峰值反向电压 | 12 V |
最大反向电流 | 10 µA |
反向测试电压 | 12 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | SINGLE |