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SD1143-01
晶体管 > 射频双极晶体管

SD1143-01

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.53
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 1439172631
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.53
其他特性 WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
最大集电极电流 (IC) 2 A
基于收集器的最大容量 45 pF
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-PRFM-F4
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 20 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 FLAT
端子位置 RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 175 MHz
参数规格与技术文档
Microsemi FPGA & SoC
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