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S29CD016J1JBAM113
存储 > 闪存

S29CD016J1JBAM113

Cypress Semiconductor
Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, FBGA-80
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.21
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 8004810615
包装说明 FBGA-80
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 8.21
最长访问时间 54 ns
启动块 BOTTOM
命令用户界面 YES
通用闪存接口 YES
数据轮询 YES
JESD-30 代码 R-PBGA-B80
JESD-609代码 e0
长度 11 mm
内存密度 16777216 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 32
功能数量 1
部门数/规模 16,30
端子数量 80
字数 524288 words
字数代码 512000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 512KX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA
封装等效代码 BGA80,8X10,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL
编程电压 2.7 V
认证状态 Not Qualified
就绪/忙碌 YES
座面最大高度 1.4 mm
部门规模 2K,16K
最大待机电流 0.00006 A
最大压摆率 0.09 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.75 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE
端子面层 TIN LEAD
端子形式 BALL
端子节距 1 mm
端子位置 BOTTOM
切换位 YES
类型 NOR TYPE
宽度 9 mm
参数规格与技术文档
Cypress Semiconductor
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