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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 145574131330 |
| 包装说明 | WSON-6 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 10 weeks |
| 风险等级 | 7.63 |
| YTEOL | 11.8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 25 |
| 耐久性 | 1280000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N8 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64MX8 |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 编程电压 | 3 V |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 0.8 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.00034 A |
| 最大压摆率 | 0.069 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 6 mm |
| 写保护 | HARDWARE |
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苏公网安备 32059002001873号