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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8004541670 |
| 包装说明 | DIE-2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 6.99 |
| YTEOL | 3.5 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 50 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.034 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 参考标准 | RH - 100K Rad(Si) |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号