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R6006JND3TL1
晶体管 > 功率场效应晶体管

R6006JND3TL1

ROHM Semiconductor
Power Field-Effect Transistor,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥29.3094
市场总库存:
1,253
生命周期状态:
Active
风险等级:
2.17
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8301703139
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Date Of Intro 2018-01-09
风险等级 2.17
Samacsys Description 600V 6A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.25
雪崩能效等级(Eas) 117 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 6 A
最大漏源导通电阻 0.936 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 18 A
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
ROHM Semiconductor
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