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PJSD12W_R2_10001
二极管 > 瞬态抑制器

PJSD12W_R2_10001

PanJit Semiconductor
Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.64
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 114406166
Reach Compliance Code compliant
风险等级 7.64
YTEOL 6.28
最大击穿电压 15 V
最小击穿电压 13.3 V
击穿电压标称值 14.15 V
最大钳位电压 19 V
配置 SINGLE
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大非重复峰值反向功率耗散 350 W
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压 12 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
PanJit Semiconductor
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