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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1220531785 |
| 包装说明 | DFN-2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.50 |
| 风险等级 | 7.52 |
| YTEOL | 6.16 |
| 最小击穿电压 | 6.2 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 40 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 参考标准 | IEC-61000-4-2 |
| 最大重复峰值反向电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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苏公网安备 32059002001873号