参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1265101071 |
包装说明 | R-PDSO-C2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
风险等级 | 9.05 |
YTEOL | 0 |
最大击穿电压 | 29.7 V |
最小击穿电压 | 24.3 V |
击穿电压标称值 | 27 V |
最大钳位电压 | 39.1 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-214AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性 | BIDIRECTIONAL |
参考标准 | IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压 | 21.8 V |
最大反向电流 | 1 µA |
反向测试电压 | 21.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | TIN |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | DUAL |