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OMS305A

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-34

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.35

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	OMS305A
是否Rohs认证	不符合
生命周期	Active
Objectid	8006023783
包装说明	PLASTIC PACKAGE-34
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	7.35
YTEOL	5
外壳连接	ISOLATED
配置	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (ID)	25 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDFM-T34
JESD-609代码	e0
元件数量	6
端子数量	34
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

参数规格与技术文档

Infineon Technologies AG