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NE32584C-SL
晶体管 > 射频小信号场效应晶体管

NE32584C-SL

NEC Electronics Group
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.42
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 1437891561
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.42
其他特性 LOW NOISE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 3 V
最大漏极电流 (ID) 0.02 A
FET 技术 HETERO-JUNCTION
最高频带 KU BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND
封装形式 DISK BUTTON
极性/信道类型 N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 11 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
NEC Electronics Group
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