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MT45W2ML16BFB-856WT
存储 > SRAM

MT45W2ML16BFB-856WT

Micron Technology Inc
Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA54, VFBGA-54
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1986675797
零件包装代码 BGA
包装说明 VFBGA-54
针数 54
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 9.83
YTEOL 0
最长访问时间 85 ns
其他特性 SYNCHRONOUS BURST MODE POSSIBLE
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B54
JESD-609代码 e0
长度 8 mm
内存密度 33554432 bit
内存集成电路类型 PSEUDO STATIC RAM
内存宽度 16
功能数量 1
端子数量 54
字数 2097152 words
字数代码 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -25 °C
组织 2MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装等效代码 BGA54,6X9,30
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1 mm
最大待机电流 0.00011 A
最大压摆率 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子面层 TIN LEAD SILVER
端子形式 BALL
端子节距 0.75 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 6 mm
参数规格与技术文档
Micron Technology Inc
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