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MT41J256M4BY-187AT:E
存储 > DRAM

MT41J256M4BY-187AT:E

Micron Technology Inc
DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA86, 9 X 15.50 MM, LEAD FREE, FBGA-86
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.32
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1999230731
零件包装代码 BGA
包装说明 TFBGA,
针数 86
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.32
风险等级 9.32
YTEOL 0
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B86
长度 15.5 mm
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM
内存宽度 4
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 86
字数 268435456 words
字数代码 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 105 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 256MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 9 mm
参数规格与技术文档
Micron Technology Inc
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