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MT18HTF25672FDZ-667H1N8
存储 > DRAM

MT18HTF25672FDZ-667H1N8

Micron Technology Inc
DRAM, 256MX72, CMOS, PDMA240,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.61
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1122316017
包装说明 DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 9.61
YTEOL 0
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDMA-N240
JESD-609代码 e3
内存密度 19327352832 bit
内存宽度 72
湿度敏感等级 1
端子数量 240
字数 268435456 words
字数代码 256000000
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 256MX72
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIMM
封装等效代码 DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
最大压摆率 4.48 mA
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN
端子形式 NO LEAD
端子节距 1 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Micron Technology Inc
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