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MS3023
晶体管 > 射频双极晶体管

MS3023

Advanced Power Technology
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, M210, 2 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.06
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 2050132594
包装说明 FLANGE MOUNT, O-CXFM-F2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.06
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 BASE
最大集电极电流 (IC) 0.6 A
基于收集器的最大容量 6.5 pF
配置 SINGLE
最高频带 L BAND
JESD-30 代码 O-CXFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 UNSPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Advanced Power Technology
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