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MQSMBJ160CTR
二极管 > 瞬态抑制器

MQSMBJ160CTR

Microsemi FPGA & SoC
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.19
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1982869651
零件包装代码 DO-214AA
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 9.19
YTEOL 0
其他特性 TR, 7 INCH: 750
最大击穿电压 218 V
最小击穿电压 178 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e0
湿度敏感等级 1
最大非重复峰值反向功率耗散 600 W
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性 BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1.38 W
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 160 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子面层 TIN LEAD
端子形式 C BEND
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Microsemi FPGA & SoC
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