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MMSF5N03ZR2
晶体管 > 小信号场效应晶体管

MMSF5N03ZR2

Motorola Semiconductor Products
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1417017094
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 9.83
YTEOL 0
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 7.5 A
最大漏源导通电阻 0.03 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 90 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 1.6 W
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Motorola Semiconductor Products
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