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MMSF4N01HDR2
晶体管 > 小信号场效应晶体管

MMSF4N01HDR2

Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIATURE, CASE 751-05, SO-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
4,816
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 1441801035
包装说明 MINIATURE, CASE 751-05, SO-8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.45
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 5.8 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 230 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Motorola Semiconductor Products
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