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MMSF1310R2
晶体管 > 功率场效应晶体管

MMSF1310R2

Rochester Electronics LLC
10A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥5.7974
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.36
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 1380015087
零件包装代码 SOT
包装说明 SO-8
针数 8
Reach Compliance Code unknown
风险等级 7.36
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 10 A
最大漏源导通电阻 0.015 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A
认证状态 COMMERCIAL
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Rochester Electronics LLC
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