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MMBTH10Q-7-F
晶体管 > 射频小信号双极晶体管

MMBTH10Q-7-F

RF Small Signal Bipolar Transistor,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.9656
市场总库存:
9,118
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.33
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8362993822
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 24 weeks
风险等级 1.33
YTEOL 4
其他特性 HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 0.05 A
基于收集器的最大容量 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 25 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W
参考标准 AEC-Q101; MIL-STD-202
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 650 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
参数规格与技术文档
Diodes Incorporated
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