参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1627470672 |
零件包装代码 | DO-213AB |
包装说明 | O-LELF-R2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
风险等级 | 9.52 |
YTEOL | 0 |
最小击穿电压 | 7.78 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-213AB |
JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 4000 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
极性 | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 1.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 7 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |