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MCR12DSN-1G
触发装置 > 可控硅整流器

MCR12DSN-1G

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥6.6545
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.21
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid MCR12DSN-1G
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1647608680
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4
制造商包装代码 369D
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.30.00.80
风险等级 8.21
外壳连接 ANODE
配置 SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 2 V/us
最大直流栅极触发电流 0.2 mA
最大维持电流 6 mA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
最大漏电流 0.01 mA
湿度敏感等级 1
通态非重复峰值电流 100 A
元件数量 1
端子数量 2
最大通态电流 12000 A
最高工作温度 110 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
认证状态 Not Qualified
最大均方根通态电流 12 A
断态重复峰值电压 800 V
重复峰值反向电压 800 V
表面贴装 YES
端子面层 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
触发设备类型 SCR
参数规格与技术文档
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