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M93S66-DS3P
存储 > EEPROM

M93S66-DS3P

STMicroelectronics
256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.59
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid M93S66-DS3P
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1994183992
零件包装代码 SOIC
包装说明 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数 8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 9.59
YTEOL 0
最大时钟频率 (fCLK) 2 MHz
数据保留时间-最小值 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 S-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
长度 3 mm
内存密度 4096 bit
内存集成电路类型 EEPROM
内存宽度 16
湿度敏感等级 1
功能数量 1
端子数量 8
字数 256 words
字数代码 256
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 256X16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP
封装等效代码 TSSOP8,.19
封装形状 SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.1 mm
串行总线类型 MICROWIRE
最大待机电流 0.000015 A
最大压摆率 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子节距 0.65 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
宽度 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
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