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M121-100
存储 > SRAM

M121-100

Valtronic Inc
SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.87
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 101270379
包装说明 DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 8.87
最长访问时间 100 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e0
内存密度 1048576 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE
内存宽度 8
端子数量 32
字数 131072 words
字数代码 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 128KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Valtronic Inc
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