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LM637BMJ
放大器电路 > 运算放大器

LM637BMJ

National Semiconductor Corporation
IC OP-AMP, 110 uV OFFSET-MAX, 65 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.79
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid LM637BMJ
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1425664658
零件包装代码 DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3
针数 8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.33.00.01
风险等级 9.79
YTEOL 0
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.02 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.01 µA
标称共模抑制比 140 dB
频率补偿 YES (AVCL>=5)
最大输入失调电压 110 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T8
JESD-609代码 e0
低-偏置 NO
低-失调 YES
微功率 NO
标称负供电电压 (Vsup) -15 V
功能数量 1
端子数量 8
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
功率 NO
可编程功率 NO
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm
最小摆率 10 V/us
标称压摆率 14 V/us
最大压摆率 5.5 mA
供电电压上限 22 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V
表面贴装 NO
技术 BIPOLAR
温度等级 MILITARY
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
标称均一增益带宽 65000 kHz
最小电压增益 1000000
宽带 NO
宽度 7.62 mm
参数规格与技术文档
National Semiconductor Corporation
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