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LM6361N
放大器电路 > 运算放大器

LM6361N

National Semiconductor Corporation
IC OP-AMP, 22000 uV OFFSET-MAX, 50 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥45.5935
市场总库存:
373
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.8
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid LM6361N
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1476543990
零件包装代码 DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3
针数 8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.33.00.01
风险等级 8.8
YTEOL 0
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 6 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 5 µA
最小共模抑制比 72 dB
标称共模抑制比 94 dB
频率补偿 YES
最大输入失调电压 22000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0
长度 9.817 mm
低-失调 NO
负供电电压上限 -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V
功能数量 1
端子数量 8
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm
最小摆率 200 V/us
标称压摆率 300 V/us
最大压摆率 6.9 mA
供电电压上限 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V
表面贴装 NO
技术 BIPOLAR
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
标称均一增益带宽 50000 kHz
最小电压增益 400
宽度 7.62 mm
参数规格与技术文档
National Semiconductor Corporation
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