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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | LF11202D |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1422276497 |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 9.8 |
| YTEOL | 0 |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 正常位置 | NO |
| 信道数量 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 50 dB |
| 通态电阻匹配规范 | 5 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron) | 200 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm |
| 最大供电电流 (Isup) | 9 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | BIMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
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苏公网安备 32059002001873号