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LBAW56LT1G
二极管 > 其他二极管

LBAW56LT1G

LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:A1 , VR (V):70, IF (mA):200, VF Max(V):1, VF IF(mA):50
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.04
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1221183085
包装说明 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.70
风险等级 7.04
YTEOL 6.1
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.715 V
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 0.5 A
元件数量 2
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.225 W
最大重复峰值反向电压 70 V
最大反向恢复时间 0.006 µs
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
Device Marking A1
VR (V) 70
IF (mA) 200
VF Max(V) 1
VF IF(mA) 50
IR Max(µA) 2.5
IR VR(V) 70
trr(ns) 6
Style B
Package SOT-23
Qualified to AECQ101 Yes
二级类别 SWITCHING DIODES
三级类别 3 Pin Surface Mount Switching Diodes
参数规格与技术文档
LRC Leshan Radio Co Ltd
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