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LBAW56DW1T1G

LRC Leshan Radio Co Ltd

Device Marking:A1, VR (V):70, IF (mA):200, VF Max(V):0.715, VF IF(mA):1

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.56

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1321698271
包装说明	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.10.00.70
风险等级	7.56
YTEOL	6.1
配置	2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.715 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
元件数量	4
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	0.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.2 W
最大重复峰值反向电压	70 V
最大反向电流	50 µA
最大反向恢复时间	0.006 µs
反向测试电压	70 V
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
Device Marking	A1
VR (V)	70
IF (mA)	200
VF Max(V)	0.715
VF IF(mA)	1
IR Max(µA)	2.5
IR VR(V)	70
trr(ns)	6
Style	C
Package	SC-88
Qualified to AECQ101	Yes
二级类别	SWITCHING DIODES
三级类别	6 Pin Surface Mount Switching Diodes

参数规格与技术文档

LRC Leshan Radio Co Ltd