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LBAT54AWT1G
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LBAT54AWT1G

LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:B7, VR (V):30, IF (mA):200, VF Max(V):0.4, VF IF(A):0.01
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1295065383
包装说明 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.70
风险等级 7.49
YTEOL 6
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.24 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 0.6 A
元件数量 2
端子数量 3
最高工作温度 125 °C
最大输出电流 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.2 W
最大重复峰值反向电压 30 V
最大反向恢复时间 0.005 µs
表面贴装 YES
技术 SCHOTTKY
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
Device Marking B7
VR (V) 30
IF (mA) 200
VF Max(V) 0.4
VF IF(A) 0.01
IR Max(µA) 2
IR VR(V) 25
Style B
Package SC-70
Qualified to AECQ101 Yes
二级类别 SCHOTTKY DIODES
三级类别 3 Pin Surface Mount Schottky Diodes
参数规格与技术文档
LRC Leshan Radio Co Ltd
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