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LBAS21HT1G

LRC Leshan Radio Co Ltd

Device Marking:JS, VR (V):250, IF (mA):200, VF Max(V):1.25, VF IF(mA):200

数据手册:

下载: LBAS21HT1G

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.54

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 81 个替代料
Diodes Incorporated 8 个替代料
onsemi 5 个替代料
Micro Commercial Components 4 个替代料
Vishay Intertechnologies 12 个替代料
PanJit Semiconductor 12 个替代料
Nexperia 1 个替代料
LRC Leshan Radio Co Ltd 10 个替代料
Central Semiconductor Corp 3 个替代料
Secos Corporation 1 个替代料
Won-Top Electronics Co Ltd 3 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 2 个替代料
ROHM Semiconductor 3 个替代料
EIC Semiconductor Inc 2 个替代料
SY Sinyork Co Ltd 1 个替代料
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd 6 个替代料
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. 7 个替代料

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