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L1SS181LT1G

LRC Leshan Radio Co Ltd

Device Marking:A3 , VR (V):80, IF (mA):100, VF Max(V):1.2, VF IF(mA):100

数据手册:

下载: L1SS181LT1G

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.62

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 96 个替代料
onsemi 5 个替代料
Diodes Incorporated 8 个替代料
Vishay Intertechnologies 2 个替代料
Micro Commercial Components 3 个替代料
Central Semiconductor Corp 3 个替代料
PanJit Semiconductor 4 个替代料
NTE Electronics Inc 1 个替代料
LRC Leshan Radio Co Ltd 30 个替代料
Continental Device India Ltd 2 个替代料
Taiwan Semiconductor 1 个替代料
ROHM Semiconductor 4 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 2 个替代料
Panasonic Electronic Components 1 个替代料
Renesas Electronics Corporation 6 个替代料
STMicroelectronics 1 个替代料
Nichicon Corporation 1 个替代料
Allegro MicroSystems LLC 2 个替代料
Jinan Gude Electronic Device Co Ltd 6 个替代料
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. 6 个替代料
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd 3 个替代料
Transys Electronics Limited 3 个替代料
JGD Semiconductors Co Ltd 2 个替代料

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