参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | KSB811O |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1459307174 |
零件包装代码 | TO-92S |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 9.78 |
YTEOL | 0 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 25 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 110 MHz |