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KSB708-Y
晶体管 > 功率双极晶体管

KSB708-Y

Samsung Semiconductor
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1437067554
零件包装代码 SFM
包装说明 TO-220, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 9.46
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 7 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP
功耗环境最大值 40 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
VCEsat-Max 0.5 V
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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