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KM41C4000CP-7
存储 > DRAM

KM41C4000CP-7

Samsung Semiconductor
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1442138710
零件包装代码 DIP
包装说明 DIP,
针数 20
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.49
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE
最长访问时间 70 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T20
长度 26.4 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM
内存宽度 1
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 20
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
组织 4MX1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
宽度 7.62 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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