Fri May 10 2024 08:25:58 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
KM416V254BJ-L7
存储 > DRAM

KM416V254BJ-L7

Samsung Semiconductor
EDO DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.62
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1442140181
零件包装代码 SOJ
包装说明 SOJ, SOJ40,.44
针数 40
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.62
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 70 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J40
JESD-609代码 e0
长度 26.04 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 40
字数 262144 words
字数代码 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 256KX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ40,.44
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 512
座面最大高度 3.76 mm
自我刷新 YES
最大待机电流 0.00015 A
最大压摆率 0.065 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消