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KM416V1200AT-L6
存储 > DRAM

KM416V1200AT-L6

Samsung Semiconductor
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1442140785
零件包装代码 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数 44
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.83
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE
最长访问时间 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0
长度 18.41 mm
内存密度 16777216 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 44
字数 1048576 words
字数代码 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 1MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装等效代码 TSOP44/50,.46,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 1024
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
最大待机电流 0.0002 A
最大压摆率 0.15 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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