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KFM1G16Q2B-DEB80
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KFM1G16Q2B-DEB80

Samsung Semiconductor
Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.66
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1669385095
零件包装代码 BGA
包装说明 VFBGA, BGA63,10X12,32
针数 63
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 9.66
YTEOL 0
最长访问时间 76 ns
其他特性 SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
命令用户界面 YES
数据轮询 NO
JESD-30 代码 R-PBGA-B63
JESD-609代码 e1
长度 13 mm
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 16
湿度敏感等级 3
功能数量 1
部门数/规模 1K
端子数量 63
字数 67108864 words
字数代码 64000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -30 °C
组织 64MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装等效代码 BGA63,10X12,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小 1K words
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260
编程电压 1.8 V
认证状态 Not Qualified
就绪/忙碌 YES
座面最大高度 1 mm
部门规模 64K
最大待机电流 0.00005 A
最大压摆率 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL EXTENDED
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
切换位 YES
类型 SLC NAND TYPE
宽度 10 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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