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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 145126226672 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Mainland China |
| 风险等级 | 7.5 |
| YTEOL | 6.62 |
| 最小击穿电压 | 50 V |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-W4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 200 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 4 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 最大重复峰值反向电压 | 50 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 反向测试电压 | 50 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | SINGLE |
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苏公网安备 32059002001873号