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K6R1008V1C-TP10
存储 > SRAM

K6R1008V1C-TP10

Samsung Semiconductor
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.6
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1933087132
零件包装代码 TSOP2
包装说明 TSOP2,
针数 32
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 3A991.B.2.B
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 8.6
YTEOL 0
最长访问时间 10 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G32
长度 20.95 mm
内存密度 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 32
字数 131072 words
字数代码 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Samsung Semiconductor
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