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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| Objectid | 113951881 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.95 |
| 风险等级 | 8.5 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 20 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
| 最大降落时间（tf） | 35 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 0.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 4 W |
| 参考标准 | MIL-PRF-19500; MIL-STD-750; RH - 300K Rad(Si) |
| 最大上升时间（tr） | 25 ns |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 210 ns |
| 最大开启时间（吨） | 40 ns |
| VCEsat-Max | 1 V |
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苏公网安备 32059002001873号