参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Active |
Objectid | 8351959190 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.95 |
风险等级 | 6.87 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
基于收集器的最大容量 | 12 pF |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 0.8 W |
最大功率耗散 (Abs) | 5 W |
认证状态 | Qualified |
参考标准 | MIL-19500 |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 0.5 V |