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JAN2N2016
晶体管 > 小信号双极晶体管

JAN2N2016

Silicon Transistor Corporation
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
数据手册:
-
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.47
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1516333499
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-X3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.47
YTEOL 0
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A
集电极-发射极最大电压 65 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 7.5
JESD-30 代码 O-MBCY-X3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 150 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/248A
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 0.012 MHz
参数规格与技术文档
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