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ISL9V3040S3S
晶体管 > IGBT

ISL9V3040S3S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 450V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.94
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid ISL9V3040S3S
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1909785214
零件包装代码 D2PAK
包装说明 PLASTIC,D2PAK-3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.94
YTEOL 0
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 21 A
集电极-发射极最大电压 450 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间(tf) 15000 ns
门极发射器阈值电压最大值 2.2 V
门极-发射极最大电压 12 V
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
认证状态 Not Qualified
最大上升时间(tr) 7000 ns
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 7600 ns
标称接通时间 (ton) 2800 ns
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
Fairchild Semiconductor Corporation
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