Sat May 18 2024 08:57:59 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
ISL9V2040S3S
晶体管 > IGBT

ISL9V2040S3S

onsemi
Insulated Gate Bipolar Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.34
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid ISL9V2040S3S
生命周期 Active
Objectid 8310870079
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.34
YTEOL 5.4
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A
集电极-发射极最大电压 390 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
门极发射器阈值电压最大值 2.2 V
门极-发射极最大电压 12 V
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 130 W
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 6000 ns
标称接通时间 (ton) 2780 ns
VCEsat-Max 2.3 V
参数规格与技术文档
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消