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IRG4BC20FD-STRRPBF
晶体管 > IGBT

IRG4BC20FD-STRRPBF

International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1629355890
零件包装代码 D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.45
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 16 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 610 ns
标称接通时间 (ton) 63 ns
参数规格与技术文档
International Rectifier
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