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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IRFY120EB |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 8006012645 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 9.63 |
| YTEOL | 0 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.36 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-257AB |
| JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 29 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | CECC |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号