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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IRFW640BTM |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 2075734028 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 9.77 |
| YTEOL | 0 |
| 配置 | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID) | 18 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 139 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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苏公网安备 32059002001873号