Thu May 09 2024 00:20:23 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
IRFP064
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP064

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥102.0445
市场总库存:
225
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.3
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 1577038452
零件包装代码 TO-247
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.3
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2022-10-28 02:09:21
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 1000 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 70 A
最大漏源导通电阻 0.009 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 520 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消