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IRFIBE20G-005PBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFIBE20G-005PBF

International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.18
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2077755445
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 8.18
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 800 V
最大漏极电流 (ID) 1.4 A
最大漏源导通电阻 6.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 30 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
International Rectifier
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